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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112820732B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011270310.7，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权半导体器件是由久本大;川嶋祥之;桥本孝司设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括存储器单元，该存储器单元由具有分裂栅极型MONOS结构的FinFET构成，FinFET具有形成在多个鳍中的多个源极区域，并且多个源极区域通过源极线接触件共同连接。此外，FinFET具有形成在多个鳍中的多个漏极区域，多个漏极区域通过位线接触件共同连接，并且该FinFET构成1位的存储器单元。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，具有分裂栅极型MONOS结构，所述半导体器件包括： 半导体衬底，具有主表面； 第一鳍，是所述半导体衬底的一部分，被形成为选择性地从所述半导体衬底的所述主表面突出，并且在平面图中的第一方向上延伸； 第二鳍，是所述半导体衬底的一部分，被形成为选择性地从所述半导体衬底的所述主表面突出，并且沿着所述第一鳍、与所述第一鳍以预定间隔形成； 隔离区域，形成在所述半导体衬底的所述主表面上，并且被形成为与所述第一鳍和所述第二鳍的上表面的位置相比，具有在更低的位置处的上表面； 控制栅极，被形成为经由栅极电介质膜将所述第一鳍和所述第二鳍中的每个鳍夹在中间，并且在平面图中的第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，所述栅极电介质膜形成在所述第一鳍和所述第二鳍的表面上； 存储器栅极，被形成为经由电荷俘获膜将所述第一鳍和所述第二鳍中的每个鳍夹在中间，并且在平面图中沿着所述控制栅极相邻地延伸，所述电荷俘获膜形成在所述第一鳍和所述第二鳍的表面上； 第一源极区域和第二源极区域，分别形成在所述第一鳍和所述第二鳍中，并且位于分裂栅极结构的一个侧面上，所述分裂栅极结构由所述控制栅极和所述存储器栅极构成；以及 第一漏极区域和第二漏极区域，分别形成在所述第一鳍和所述第二鳍中，并且位于所述分裂栅极结构的另一侧面上， 其中所述第一源极区域和所述第二源极区域构成共用源极，所述共用源极通过源极线接触件而电连接， 其中所述第一漏极区域和所述第二漏极区域构成共用漏极，所述共用漏极通过位线接触件而电连接， 其中所述控制栅极、所述存储器栅极、所述共用源极和所述共用漏极构成1位的存储器单元， 其中所述隔离区域包括第一部分和第二部分，在平面图中，所述第一部分布置在所述第一鳍与所述第二鳍之间，所述第二部分布置在所述第一鳍和所述第二鳍的外部，并且 其中所述第一部分的上表面在所述半导体衬底的厚度方向上低于所述第二部分的上表面。

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