买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112909084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011402792.7，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件是由C·P·桑多;W·勒斯纳设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件在说明书摘要公布了：公开了包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件。提出了一种半导体器件100。半导体器件包括在半导体本体106的IGBT部分104中的IGBT102。半导体器件100进一步包括在半导体本体的二极管部分110中的二极管108。二极管包括第一导电类型的阳极区132。阳极区132是由沿着第一横向方向x1的二极管沟槽134界定的。每个二极管沟槽134包括二极管沟槽电极136和二极管沟槽电介质138。第一接触凹槽140从半导体本体106的第一表面122沿着竖向方向y延伸到阳极区132中。第一导电类型的阳极接触区148邻接第一接触凹槽140的底部侧。第二导电类型的阴极接触区128邻接半导体本体106的与第一表面122相对的第二表面126。

本发明授权包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件100，包括： 在半导体本体106的IGBT部分104中的IGBT102； 在半导体本体106的二极管部分110中的二极管108，其中， 二极管108包括： 第一导电类型的阳极区132，其中阳极区132是由沿着第一横向方向x1的二极管沟槽134界定的，每个二极管沟槽134包括二极管沟槽电极136和二极管沟槽电介质138； 第一接触凹槽140，其从半导体本体106的第一表面122沿着竖向方向y延伸到阳极区132中； 第一导电类型的阳极接触区148，其邻接第一接触凹槽140的底部侧；以及 第二导电类型的阴极接触区128，其邻接半导体本体106的与第一表面122相对的第二表面126， 其中，阳极接触区148在第一接触凹槽140的底部侧的中心下方的第一位置处具有第一掺杂浓度，并且其中，阳极接触区148的掺杂浓度在从第一位置开始沿着第一横向方向到第二位置的横向距离l1上至少减少至十分之一。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技奥地利有限公司，其通讯地址为：奥地利菲拉赫西门子大街2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。