三星电子株式会社都桢湖获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利堆叠的集成电路装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110239488.3，技术领域涉及：H01L23/50；该发明授权堆叠的集成电路装置是由都桢湖;李昇映设计研发完成，并于2021-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠的集成电路装置在说明书摘要公布了：公开了一种堆叠的集成电路装置。所述堆叠的集成电路装置可以包括标准单元，标准单元包括第一行中的第一标准单元和与第一行紧邻的第二行中的第二标准单元。每个标准单元可以包括上晶体管和下晶体管。上晶体管可以包括上有源区、上栅极结构以及上源漏区。下晶体管可以包括下有源区、下栅极结构以及下源漏区。每个标准单元还可以包括电源线和将电源线电连接到下源漏区的电源过孔。第一标准单元的电源过孔和第二标准单元的电源过孔可以沿着第一方向彼此对齐。
本发明授权堆叠的集成电路装置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：多个标准单元，以多个均在第一方向上延伸的行布置在基底上，其中，所述多个标准单元包括第一行中的第一标准单元和与第一行紧邻的第二行中的第二标准单元， 其中，所述多个标准单元中的每个包括： 上晶体管，包括：上有源区；上栅极结构，位于上有源区上；以及上源漏区，位于上有源区上； 下晶体管，位于基底与上晶体管之间，下晶体管包括：下有源区；下栅极结构，位于下有源区上；以及下源漏区，位于下有源区上； 电源线；以及 电源过孔，将电源线电连接到下源漏区， 其中，第一标准单元的电源过孔和第二标准单元的电源过孔沿着第一方向彼此对齐。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励