三星电子株式会社徐焕锡获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利用于极紫外光刻的相移掩模和用其制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113805427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110660102.6，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权用于极紫外光刻的相移掩模和用其制造半导体装置的方法是由徐焕锡;金成洙;丁昶荣设计研发完成，并于2021-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于极紫外光刻的相移掩模和用其制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种用于极紫外光刻的相移掩模，其包括：衬底；衬底上的反射层；反射层上的封盖层；封盖层上的缓冲图案，缓冲图案包括暴露封盖层的表面的开口；以及缓冲图案上的吸收器图案，吸收器图案包括小于缓冲图案的折射率的折射率和大于缓冲图案的厚度的厚度。缓冲图案包括相对于吸收器图案和封盖层具有蚀刻选择性的材料。
本发明授权用于极紫外光刻的相移掩模和用其制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于极紫外光刻的相移掩模，包括： 衬底； 反射层，其位于所述衬底上； 封盖层，其位于所述反射层上； 缓冲图案，其位于所述封盖层上，所述缓冲图案包括暴露所述封盖层的表面的开口；以及 吸收器图案，其位于所述缓冲图案上，所述吸收器图案包括小于所述缓冲图案的折射率的折射率和大于所述缓冲图案的厚度的厚度， 其中，所述缓冲图案包括相对于所述吸收器图案和所述封盖层具有蚀刻选择性的材料， 其中，所述衬底包括边界区和图案区， 其中，所述反射层包括交替地堆叠的低折射率层和高折射率层， 其中，所述边界区上的所述低折射率层和所述高折射率层彼此混杂，并且 其中，所述封盖层和所述缓冲图案中的每一个的厚度小于入射到所述衬底上的极紫外光的波长。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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