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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利在衬底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010581174.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权在衬底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法是由孙士祯;王春明;X·刘;杨荣华;宋国祥;邢精成;N·多设计研发完成，并于2020-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本在衬底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种形成半导体设备的方法，该方法通过以下步骤进行：使第一区域和第二区域而不是第三区域中的半导体衬底的上表面凹入；在该第一区域和该第二区域中形成第一导电层；在所有三个区域中形成第二导电层；从该第二区域中去除该第一导电层和该第二导电层并且从该第一区域中去除该第一导电层和该第二导电层的部分，从而形成堆叠结构对，每个堆叠结构对在浮栅上方具有控制栅；在该第一区域和该第二区域中形成第三导电层；在该第一区域和该第二区域中形成保护层；以及然后从该第三区域中去除该第二导电层；然后在该第三区域中形成导电材料块；然后在该第一区域和该第二区域中进行蚀刻以形成选择栅和HV栅；以及用金属材料块替换这些导电材料块。

本发明授权在衬底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体设备的方法，包括： 提供半导体材料的衬底，所述半导体材料的衬底包括第一区域、第二区域和第三区域； 使所述第一区域中的所述衬底的上表面和所述第二区域中的所述衬底的上表面相对于所述第三区域中的所述衬底的上表面凹入； 形成第一导电层，所述第一导电层设置在所述第一区域和所述第二区域中的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘； 形成第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一区域和所述第二区域中的所述第一导电层上方并且与所述第一导电层绝缘，并且设置在所述第三区域中的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘； 执行一种或多种蚀刻以选择性地去除所述第一区域中的所述第一导电层和所述第二导电层的部分，以从所述第二区域中完全去除所述第一导电层和所述第二导电层，同时保持所述第三区域中的所述第二导电层，其中所述一种或多种蚀刻导致在所述第一区域中形成堆叠结构对，其中所述堆叠结构中的每个堆叠结构包括所述第二导电层的控制栅，所述第二导电层的控制栅设置在所述第一导电层的浮栅上方并且与所述第一导电层的浮栅绝缘； 在所述衬底中形成第一源极区，每个第一源极区设置在所述堆叠结构对中的一个堆叠结构对之间； 形成第三导电层，所述第三导电层设置在所述第一区域和所述第二区域中的所述衬底的所述上表面上方并且与所述衬底的所述上表面绝缘； 在所述第一区域和所述第二区域中的所述第三导电层上方形成保护层； 在形成所述保护层之后，从所述第三区域中去除所述第二导电层； 在从所述第三区域中去除所述第二导电层之后，形成导电材料块，所述导电材料块设置在所述第三区域中的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘； 在于所述第三区域中形成所述导电材料块之后，蚀刻所述第一区域和所述第二区域中的所述保护层的部分和所述第三导电层的部分以形成所述第三导电层的多个选择栅，每个选择栅与所述堆叠结构中的一个堆叠结构相邻设置，并且形成所述第三导电层的多个HV栅，每个HV栅设置在所述第二区域中的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘，其中对于所述堆叠结构对中的每个堆叠结构对，所述第三导电层的擦除栅设置在所述堆叠结构对之间，并且设置在所述源极区的一个源极区上方并且与所述源极区的所述一个源极区绝缘； 在形成所述多个选择栅和所述多个HV栅之后： 在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中形成能够流动的材料的半非保形层； 从所述第一区域中的所述保护层中去除所述能够流动的材料的半非保形层的一部分而在所述第二区域和第三区域中保持所述能够流动的材料的半非保形层； 减薄所述第一区域中的所述保护层；以及 去除所述第一区域中所述能够流动的材料的半非保形层的剩余部分和所述第二区域和第三区域中的半非保形层； 在所述衬底中形成第一漏极区，每个第一漏极区与所述选择栅中的一个选择栅相邻； 在所述衬底中形成第二源极区，每个第二源极区与所述HV栅中的一个HV栅相邻； 在所述衬底中形成第二漏极区，每个第二漏极区与所述HV栅中的一个HV栅相邻； 在所述衬底中形成第三源极区，每个第三源极区与所述导电材料块中的一个导电材料块相邻； 在所述衬底中形成第三漏极区，每个第三漏极区与所述导电材料块中的一个导电材料块相邻； 移除所述第一区域中的经减薄的保护层以曝露所述选择栅和所述擦除栅； 在所述选择栅和所述擦除栅上形成硅化物；以及 用金属材料块替换所述导电材料块中的每个导电材料块。

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