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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司申请的专利绝缘体上半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889432B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010636483.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权绝缘体上半导体结构的制造方法是由黄河;丁敬秀;向阳辉设计研发完成，并于2020-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本绝缘体上半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种绝缘体上半导体结构的制造方法，通过在第一离子浓掺杂的第一晶圆上形成第二离子轻掺杂的半导体层，并在所述半导体层的表面上形成第一氧化键合层，在第二晶圆的表面上形成第二氧化键合层，进一步键合所述第一氧化键合层和所述第二氧化键合层，以将所述第一晶圆键合到所述第二硅晶圆上，之后通过刻蚀工艺去除第一晶圆，以暴露出所述半导体层，进而形成绝缘体上半导体结构，工艺简单，易于执行，且可以精确控制形成的绝缘体上半导体结构的顶层硅的厚度，使得绝缘体上半导体结构中的顶层硅的膜厚较薄，满足高性能的器件的制造需求。

本发明授权绝缘体上半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一离子浓掺杂的第一晶圆； 在所述第一晶圆的表面上形成第二离子轻掺杂的半导体层； 采用工艺温度低于600℃的气相沉积工艺在所述半导体层的表面上形成第一氧化键合层； 提供第二晶圆，并采用工艺温度低于600℃的气相沉积工艺在所述第二晶圆的表面上形成第二氧化键合层； 键合所述第一氧化键合层和所述第二氧化键合层，以将所述第一晶圆键合到所述第二晶圆上，并进一步对键合之后的整个结构进行退火加固，退火温度为300℃～500℃，退火时间为30分钟～150分钟； 通过湿法刻蚀工艺去除所述第一晶圆，以暴露出所述半导体层，所述湿法刻蚀工艺对所述第一晶圆的湿法刻蚀速率大于对所述半导体层的湿法刻蚀速率； 所述制造方法在去除所述第一晶圆并暴露出所述半导体层之后，还包括： 通过精细化学机械抛光工艺，对所述半导体层的表面进行化学机械抛光； 测量所述半导体层的厚度，并根据所述厚度的测量结果，采用离子束对所述半导体层的整体表面或者局部表面进行离子反应处理，以对所述半导体层进一步表面修整； 在采用离子束对所述半导体层表面修整之后，对所述半导体层进行氧化处理，以在所述半导体层上形成再生氧化层并对键合界面同时进行加固，工艺温度为700℃～1100℃；然后，去除所述再生氧化层，以去除和修复所述半导体层表面上的损伤。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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