南亚科技股份有限公司范政祥获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110571521.2，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体元件及其制备方法是由范政祥设计研发完成，并于2021-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一单层连接结构以及一多层连接结构，该单层连接结构位在该基底上，该多层连接结构位在该基底上，并包括交错堆叠的多个第一导电层以及多个第二导电层。该多层连接结构的一上表面大致与该单层连接结构的一上表面为共面，且该多层连接结构的一宽度是小于该单层连接结构的一宽度。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 一第一导电线，设置在该基底中且在该基底上形成一第一隔离层； 一单层连接结构，位在该基底上，该单层连接结构电性连接至该第一导电线的该第一隔离层中； 一多层连接结构，位在该基底上，并包括交错堆叠的多个第一导电层以及多个第二导电层，该多层连接结构电性连接至该第一导电线的该第一隔离层中；以及 一第二导电线，设置在该第一隔离层上，且该第二导电线电性连接到该单层连接结构和该多层连接结构； 其中该多层连接结构的一上表面大致与该单层连接结构的一上表面为共面，且该多层连接结构的一宽度是小于该单层连接结构的一宽度； 其中，该多个第一导电层与该多个第二导电层具有相对的应力状态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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