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龙图腾网获悉力成科技股份有限公司申请的专利封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110858670.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权封装结构及其制造方法是由张简上煜;徐宏欣设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种封装结构及其制造方法，所述封装结构包括第一芯片、第二芯片、模封体、阻挡结构、透光片、导电连接件、线路层以及导电端子。第一芯片包括第一有源面。第一有源面具有感测区。第二芯片以其第二背面面向第一芯片的方式配置。模封体覆盖第二芯片。模封体具有第一模封面及第二模封面。阻挡结构位于第一模封面上且暴露出感测区。透光片位于阻挡结构上。导电连接件贯穿模封体。线路层位于第二模封面上。第一芯片经由导电连接件及线路层电连接第二芯片。导电端子配置于线路层上。

本发明授权封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 第一芯片，包括硅基材及芯片连接垫，且具有第一有源面以及相对于所述第一有源面的第一背面，其中所述第一有源面具有感测区，所述芯片连接垫位于所述第一有源面； 第二芯片，包括第二有源面以及相对于所述第二有源面的第二背面，且所述第二芯片以其所述第二背面面向所述第一芯片的所述第一背面的方式配置； 模封体，覆盖所述第二芯片且具有第一模封面及相对于所述第一模封面的第二模封面； 阻挡结构，位于所述第一模封面上且暴露出所述第一芯片的所述感测区； 透光片，位于所述阻挡结构上； 导电连接件，贯穿所述模封体； 第一线路层，位于所述第二模封面上； 绝缘层，位于所述第一芯片的所述第一背面，并延伸穿透所述硅基材以直接覆盖所述芯片连接垫的一部分； 导电层，位于所述绝缘层上，并延伸穿透所述硅基材以与所述绝缘层暴露的所述芯片连接垫的一部分接触，其中： 位于所述第一芯片所述第一背面的所述导电层的一部分构成位于所述第一模封面上的第二线路层； 穿透所述硅基材的所述绝缘层的一部分和穿透所述硅基材的所述导电层的一部分构成穿硅导通孔；且 所述第一芯片的所述芯片连接垫经由所述穿硅导通孔、所述第二线路层、所述导电连接件及所述第一线路层电连接所述第二芯片； 介电层，位于所述第二线路层上并覆盖所述穿硅导通孔，其中： 所述介电层的一部分嵌入硅基材中； 嵌入所述硅基材中的所述介电层的所述部分与构成所述穿硅导通孔的所述绝缘层的所述部分形成气隙；且 所述第一芯片、所述阻挡结构及所述透光片构成封闭空间，且所述气隙内的气压大于或等于所述封闭空间内的气压；以及 导电端子，配置于所述第一线路层上。

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