中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司李德涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010849848.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由李德涛设计研发完成，并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一区域和环绕第一区域的第二区域，第一区域的基底中具有导通孔；在导通孔的底面和侧壁，以及基底的顶面形成第一金属层；形成第一金属层后，形成覆盖第二区域且露出第一区域的刻蚀停止层；在刻蚀停止层之间的第一金属层上形成第二金属层；去除刻蚀停止层和位于刻蚀停止层之间的第二金属层。本发明实施例中，刻蚀停止层能够保护基底上的第一金属层不易受损伤，且在去除刻蚀停止层之间的第二金属层的同时，使得第一金属层之间的第二金属层不易被刻蚀，也就是说刻蚀停止层能够精确控制第一金属层和第二金属层的厚度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域的所述基底中具有导通孔； 在所述导通孔的底面和侧壁，以及所述基底的顶面形成第一金属层； 形成所述第一金属层后，形成覆盖所述第二区域且露出所述第一区域的刻蚀停止层； 在所述刻蚀停止层之间的所述第一金属层上形成第二金属层； 去除所述刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层之间且高于所述第一金属层的所述第二金属层，所述第一金属层之间具有所述第二金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励