华东光电集成器件研究所曹卫达获国家专利权
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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114105087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111479941.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法是由曹卫达;丁景兵;吴梦茹设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，它包括以下步骤：S1、选取SOI晶圆并刻蚀形成台阶；S2、清洗所述SOI晶圆；S3、刻蚀顶层硅及台阶，形成梳齿结构及硅草；S4、在梳齿结构和硅草上设置厚钝化层；S5、刻蚀气体去除水平面上的钝化层；S6、刻蚀气体钻蚀所述台阶和硅草的根部；S7、刻蚀气体去除硅草表面上的钝化层；S8、刻蚀气体刻蚀倒在所述台阶上的硅草；S9、清洗残留的所述钝化层及硅草。本发明操作方便，硅草去除干净，有效的提升了器件的使用可靠性，增加了工作寿命。
本发明授权一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，它包括以下步骤：选取SOI晶圆在并刻蚀形成槽体31；S2、清洗所述SOI晶圆；S3、刻蚀顶层硅从而形成第二槽体34，形成梳齿结构33和硅草32其特征在于：S4、使用C4F8气体在梳齿结构33和硅草32以及第二槽体34上形成钝化层5；S5、使用SF6气体去除水平分布在第二槽体34、梳齿结构33以及硅草32上的钝化层5,platen功率为300W-400W；S6、SF6气体对梳齿结构33和硅草32底部进行横向钻蚀35，使得硅草32倒塌platen功率为30W-40W；S7、使用SF6气体对倒塌后的硅草32上表面的钝化层5进行去除,platen功率为300w-400W；S8、使用SF6气体将硅草32蚀掉，platen功率为30W-40W；S9、清洗晶圆，将硅草32下表面的残留钝化层5以及剩余的极少量硅草32的碎屑全部清洗干净。
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