福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111404609.1，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体装置及其形成方法是由童宇诚;张钦福设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体装置及其形成方法，包括衬底、有源区、绝缘结构以及多个第一导线。有源区相互平行且相互分隔地定义在衬底内，各有源区包括有源鳍片以及设置于有源鳍片两侧的有源端部，有源鳍片以及有源端部分别包括不同的材质。绝缘结构设置在衬底内，环绕有源区，绝缘结构包括第一绝缘层以及多个第二绝缘层，其中，第二绝缘层系分别设置于相邻的有源区之间并且被第一绝缘层环绕。多个第一导线，形成在衬底上并横跨有源区。在此设置下，可改善有源区的延伸范围，确保后续形成的存储接触插塞结构可与有源区直接且稳定的接触。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 衬底； 多个有源区，相互平行且相互分隔地定义在所述衬底内，各所述有源区包括有源鳍片以及设置于所述有源鳍片两侧的有源端部，所述有源鳍片以及所述有源端部分别包括不同的材质；绝缘结构，设置在所述衬底内，环绕所述有源区；以及 多个第一导线，形成在所述衬底上并横跨所述有源区； 多个插塞，设置于所衬底上，所述插塞同时接触所述有源鳍片以及所述有源端部； 多个第二导线，设置于所衬底上并与所述有源区交错，所述第二导线直接接触所述有源鳍片，并与所述插塞交替设置； 间隙壁，设置于所衬底上并位于所述第二导线以及所述插塞之间。
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