美光科技公司A·查杜鲁获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成组件和形成集成组件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110994856.5，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权集成组件和形成集成组件的方法是由A·查杜鲁;I·V·恰雷设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成组件和形成集成组件的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及集成组件和形成集成组件的方法。一些实施例包含一种形成集成组件的方法。在导电结构上方形成横向交替的第一牺牲材料和第二牺牲材料，且接着在所述牺牲材料上方形成竖直交替的第一层级和第二层级的堆叠。所述第一层级包含第一材料且所述第二层级包含绝缘第二材料。使沟道材料开口形成为延伸穿过所述堆叠且穿过条带中的至少一些。在所述沟道材料开口内形成沟道材料柱。使狭缝形成为延伸穿过所述堆叠且穿过所述牺牲材料。用第一导电材料替换所述第一牺牲材料，且接着用第二导电材料替换所述第二牺牲材料。用第三导电材料替换所述堆叠的所述第一材料中的至少一些。一些实施例包含集成组件。
本发明授权集成组件和形成集成组件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成组件的方法，其包括： 在导电结构上方形成横向交替的第一条带和第二条带，所述第一条带包括第一牺牲材料且所述第二条带包括第二牺牲材料； 在所述条带上方形成竖直交替的第一层级和绝缘第二层级的堆叠，所述第一层级包括第一材料且所述绝缘第二层级包括绝缘第二材料； 使开口形成为延伸穿过所述堆叠且穿过所述条带中的至少一些； 在所述开口内形成单元材料柱； 使狭缝形成为延伸穿过所述堆叠且穿过所述条带，所述条带沿着第一方向延伸，且所述狭缝沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸； 用第一导电材料替换所述第一牺牲材料，且接着用第二导电材料替换所述第二牺牲材料；以及 用第三导电材料替换所述堆叠的所述第一材料中的至少一些，由此使所述堆叠形成为包括与所述绝缘第二层级竖直交替的导电第一层级。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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