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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利三维半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156276B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110296463.7，技术领域涉及：H10B43/40；该发明授权三维半导体存储器装置是由崔诚晧;金镇浩设计研发完成，并于2021-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维半导体存储器装置在说明书摘要公布了：一种三维半导体存储器装置可以包括：单元晶圆，其包括源极板、多条第一字线和多条第二字线，多条第一字线沿着在垂直方向上从源极板的底表面突出的多个第一垂直沟道彼此间隔开地层叠，多条第二字线沿着在垂直方向上从源极板的顶表面突出的多个第二垂直沟道彼此间隔开地层叠；第一外围晶圆，其接合到单元晶圆的底表面，并且包括第一行解码器单元，该第一行解码器单元向多条第一字线传送操作电压；以及第二外围晶圆，其接合到单元晶圆的顶表面，并且包括第二行解码器单元，该第二行解码器单元向多条第二字线传送操作电压。

本发明授权三维半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器装置，该三维半导体存储器装置包括： 单元晶圆，该单元晶圆包括：源极板；多条第一字线，所述多条第一字线沿着在垂直方向上从所述源极板的底表面突出的多个第一垂直沟道彼此间隔开地层叠；多条第二字线，所述多条第二字线沿着在所述垂直方向上从所述源极板的顶表面突出的多个第二垂直沟道彼此间隔开地层叠；多条第一位线，所述多条第一位线联接到所述多个第一垂直沟道；以及多条第二位线，所述多条第二位线联接到所述多个第二垂直沟道； 第一外围晶圆，该第一外围晶圆接合到所述单元晶圆的底表面，并且包括第一行解码器单元，该第一行解码器单元向所述多条第一字线传送操作电压； 第二外围晶圆，该第二外围晶圆接合到所述单元晶圆的顶表面，并且包括：第二行解码器单元，该第二行解码器单元向所述多条第二字线传送操作电压；以及页缓冲器电路，该页缓冲器电路包括多个页缓冲器，其中，所述多个页缓冲器中的每一个页缓冲器共同联接到所述多条第一位线中的一条和所述多条第二位线中的一条；以及 多个垂直接触结构，所述多个垂直接触结构分别联接至所述多条第一位线，并且穿过所述多条第一字线、所述源极板和所述多条第二字线， 其中，所述多条第一位线通过所述多个垂直接触结构分别联接到所述多条第二位线。

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