联华电子股份有限公司熊昌铂获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体装置以及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010965229.4，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体装置以及其制作方法是由熊昌铂;杨庆忠;黄善禧;李信宏;李年中;李文芳;李秋德;许智凯;邱淳雅;陈金宏;许嘉榕;傅思逸;林毓翔设计研发完成，并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括半导体基底、凹陷、第一栅极氧化物层以及栅极结构。半导体基底第一区以及与第一区相邻的第二区。凹陷设置于半导体基底的第一区中，且凹陷的一边缘位于第一区与第二区之间的交界处。第一栅极氧化物层至少部分设置于凹陷中。第一栅极氧化物层包括一隆起部与凹陷的边缘相邻设置，且隆起部的高度小于凹陷的深度。栅极结构设置于半导体基底的第一区与第二区上，且栅极结构于垂直方向上与第一栅极氧化物层的隆起部重叠。
本发明授权半导体装置以及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 半导体基底，其中该半导体基底包括第一区以及与该第一区相邻的第二区，其中该第一区和该第二区均为主动区； 凹陷，设置于该半导体基底的该第一区中，其中该凹陷的边缘位于该第一区与该第二区之间的交界处； 第一栅极氧化物层，至少部分设置于该凹陷中，其中该第一栅极氧化物层包括隆起部与该凹陷的该边缘相邻设置，且该隆起部的高度小于该凹陷的深度；以及 栅极结构，设置于该半导体基底的该第一区与该第二区上，其中该栅极结构于垂直方向上与该第一栅极氧化物层的该隆起部重叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励