雷声公司M·C·迪哈希获国家专利权
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龙图腾网获悉雷声公司申请的专利热诱导弓曲减少的半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080062864.X，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权热诱导弓曲减少的半导体结构是由M·C·迪哈希;J·瓦扬古设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本热诱导弓曲减少的半导体结构在说明书摘要公布了：一种单片微波集成电路MMIC结构，其具有导热衬底；设置在衬底的上表面的第一部分上的半导体层；设置在半导体层上的有源台面形半导体器件层；以及直接设置在衬底的上表面的第二部分上的无源电气器件。
本发明授权热诱导弓曲减少的半导体结构在权利要求书中公布了：1.单片微波集成电路结构，其包括： 由金刚石或SiC构成的导热衬底； 直接设置在所述导热衬底上的有源半导体器件，所述有源半导体器件包括： 下部外延半导体层，所述下部外延半导体层由设置在所述导热衬底的上表面的第一部分上的GaN构成； 上部外延半导体层，所述上部外延半导体层由设置在所述下部外延半导体层上的AlGaN构成；以及 钝化层，所述钝化层由形成在所述下部外延半导体层的外表面和所述上部外延半导体层的外表面上的SiNx构成； 直接设置在所述导热衬底的上表面的第二部分上的无源电气器件；以及 电气互连件，所述电气互连件被设置在所述无源电气器件与所述有源半导体器件的边缘之间的间隙中，所述电气互连件被直接设置在所述导热衬底上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人雷声公司，其通讯地址为：美国马萨诸塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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