深圳市创芯微微电子有限公司王蒙获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市创芯微微电子有限公司申请的专利一种超结器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111545155.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种超结器件结构及其制备方法是由王蒙;白青刚;杨小华设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超结器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超结器件结构及其制备方法，方法包括提供第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底上外延生长第一导电类型的外延层；在外延层内形成第二导电类型的柱结构，且柱结构沿外延层的厚度方向上延伸；在柱结构的顶部进行第一次离子注入形成离子层结构，从离子层结构的顶部进行第二次离子注入，在离子层结构的下部形成体接触区，在外延层的上表面形成栅氧化层；在栅氧化层的上表面形成多晶硅栅；通过离子注入工艺在体接触区内形成源区；在多晶硅栅的表面和侧壁形成层间电介质层。本发明能够有效消除形成体接触区时热推进驱入过程中，造成体接触区与外延层的掺杂离子相互扩散导致电荷分布不平衡的现象，从而提升器件的耐压性能。
本发明授权一种超结器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超结器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一导电类型的半导体衬底； 在所述半导体衬底上外延生长第一导电类型的外延层； 在所述外延层内形成第二导电类型的柱结构，且所述柱结构沿着所述外延层的厚度方向上延伸； 在所述柱结构的顶部进行第一次离子注入，形成离子层结构，以降低所述柱结构表面的掺杂浓度；所述第一次离子注入的离子类型为第一导电类型； 从所述离子层结构的顶部进行第二次离子注入，在所述离子层结构的下部形成体接触区，所述第二次离子注入的离子类型为第二导电类型； 在所述外延层的上表面形成栅氧化层； 在所述栅氧化层的上表面形成多晶硅栅； 通过离子注入工艺在所述体接触区内形成源区； 在所述多晶硅栅的表面和侧壁形成层间电介质层。
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