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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420567B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111638376.1，技术领域涉及：H01L21/365；该发明授权一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法是由陈飞;吕秋燃;夏媛;苏伟涛设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维硫化铼‑硫化钼垂直异质结构的制备方法，采用化学气相沉积法，以SiSiO2为衬底，金属铼箔Re为铼源，金属钼箔Mo为钼源，金属铼箔平铺在金属钼箔的一端表面上，衬底倒扣在金属钼箔上，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了以多层ReS2为底层、双层MoS2为顶层的二维ReS2MoS2垂直异质结构。所得二维ReS2MoS2垂直异质结材料，是由两种不同尺寸的晶体堆叠而成的晶体，呈现出显著的发光性质，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域，在高效光探测器领域中有潜在的应用。

本发明授权一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、以SiSiO2为衬底，金属铼箔为铼源，金属钼箔为钼源，硫粉为硫源； S2、双温区水平管式炉按照气流方向依次设定为硫源温区和沉积温区，将两个石英舟置于同一石英管内，石英管置于管式炉内，其中一个石英舟放置硫源，位于硫源温区，另一个放置铼源、钼源、生长衬底，将氧化后的金属铼箔平铺在氧化后的金属钼箔一端表面上，该端靠近硫源温区，将衬底倒扣在金属钼箔正上方，衬底靠近硫源的一端用石英柱支撑，另一端与金属钼箔接触，该石英舟位于沉积温区； S3、先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫源温区的目标温度为230℃，沉积温区的目标温度825℃，两个温区同时升至设定目标温度值； S4、硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与铼、钼反应，反应时间为15分钟，在衬底上得到二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构，反应结束后在惰性气体保护下冷却至室温，二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构底部为多层硫化铼，中间顶部为双层的硫化钼。

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