长江存储科技有限责任公司王迪获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210140612.5，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权三维存储器及其制造方法是由王迪;周文犀;张中;陈阳;夏志良;霍宗亮设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种三维存储器及其制造方法、存储装置。该方法包括：形成第一堆叠块；在所述第一堆叠块形成第一台阶结构；沿所述第一堆叠块的堆叠方向，在所述第一堆叠块的一侧形成第二堆叠块；在所述第二堆叠块形成第二台阶结构，其中，所述第一台阶结构和所述第二台阶结构中的至少一个包括至少一对同位台阶，一对所述同位台阶在所述堆叠方向的垂面内间隔设置；以及在所述第一台阶结构的所述一侧形成多个导电通道，其中，所述导电通道与所述第一台阶结构或所述第二台阶结构中对应的台阶电连接，每一对所述同位台阶通过所述导电通道相互电连接。
本发明授权三维存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造三维存储器的方法，其特征在于，包括： 形成第一堆叠块； 在所述第一堆叠块形成第一台阶结构； 沿所述第一堆叠块的堆叠方向，在所述第一堆叠块的一侧形成第二堆叠块； 在所述第二堆叠块形成第二台阶结构，其中，所述第一台阶结构和所述第二台阶结构中的至少一个包括至少一对同位台阶，一对所述同位台阶在所述堆叠方向的垂面内间隔设置；以及 在所述第一台阶结构的所述一侧形成多个导电通道，其中，所述导电通道与所述第一台阶结构或所述第二台阶结构中对应的台阶电连接，每一对所述同位台阶通过所述导电通道相互电连接； 其中，所述第一台阶结构中的部分同位台阶通过桥接结构连接，以及所述第二台阶结构中的部分同位台阶通过桥接结构连接。
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