青岛科技大学王雷获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛科技大学申请的专利一种二维原子层材料应变场控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210050305.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种二维原子层材料应变场控制方法是由王雷设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维原子层材料应变场控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种二维原子层材料应变场控制方法，包括以下步骤：步骤1：在透明基底上制备纳米吸光层和二氧化硅纳米薄膜；步骤2：把二维原子层材料转移至所述二氧化硅纳米薄膜表面；步骤3：令聚焦激光束穿过所述透明基底辐照所述纳米吸光层，从而获得二氧化硅纳米鼓包，同时对二维原子层材料施加局域应变；步骤4：通过控制聚焦激光束的移动轨迹、能量密度来对二维原子层材料施加复杂应变场，从而完成对二维原子层材料应变场的控制。本发明实施例提供的方法简单高效，绿色环保，在二维原子层材料的应变调控与器件制备方面有广阔的应用前景。
本发明授权一种二维原子层材料应变场控制方法在权利要求书中公布了：1.一种二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：在透明基底上制备纳米吸光层和二氧化硅纳米薄膜；所述二氧化硅纳米薄膜为三氧化二铝或二氧化铪纳米薄膜； 步骤2：把二维原子层材料转移至所述二氧化硅纳米薄膜表面； 步骤3：令聚焦激光束穿过所述透明基底辐照所述纳米吸光层，激光束加热中间纳米吸光层，引起热膨胀或相变膨胀，导致纳米吸光层表层二氧化硅薄膜被顶起，形成表面鼓包，鼓包的横向尺寸由激光光斑直径和激光能量密度控制；同时对二维原子层材料施加局域应变；局域应变大小由鼓包高度决定；局域应变分布由鼓包形貌决定；局域应变的空间分辨率由鼓包的横向尺寸决定； 步骤4：通过控制聚焦激光束的移动轨迹、能量密度来对二维原子层材料施加复杂应变场，从而完成对二维原子层材料应变场的控制； 当二维原子层材料为多层原子时，上下相邻原子层间为任意夹角，并且上下相邻原子层为异质结构。
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