南亚科技股份有限公司何家铭获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520207B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110975248.X，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体元件及其制备方法是由何家铭设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；一第一衬垫，位于该基板上方；以及一第一重分布结构，包括位于该第一衬垫上的一第一重分布导电层和位于该第一重分布导电层上的一第一重分布热释放层。该第一重分布热释放层被配置以维持一热电阻介于约0.04℃cm2Watt到约0.25℃cm2Watt之间。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基板； 一第一衬垫，位于该基板上方；以及 一第一重分布结构，包括位于该第一衬垫上的一第一重分布导电层和位于该第一重分布导电层上的一第一重分布热释放层； 一障壁层，位于该第一衬垫和该第一重分布导电层之间； 其中该第一重分布热释放层被配置以维持一热电阻介于约0.04℃cm2Watt到约0.25℃cm2Watt之间， 其中该第一重分布热释放层包括一有机材料，其与多个纳米碳管间隙地混合， 其中该第一重分布热释放层包括一氟聚合物材料，其与多个纳米碳管间隙地混合， 其中所述纳米碳管的一深宽比介于约1∶1到约1∶100之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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