华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司李佳龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210192656.2，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器及其形成方法是由李佳龙;房子荃;范晓;王函;陈广龙;钱文生设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种图像传感器及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；对衬底进行图形化处理，形成若干呈阵列分布的柱状结构，沿第一方向排布的柱状结构之间具有第一深沟槽，沿第二方向排布的柱状结构之间具有第二深沟槽，沿第三方向排布的柱状结构之间具有交叉深沟槽，柱状结构与第一方向垂直的侧壁为110晶面，柱状结构与第三方向垂直的斜切面为100晶面；在第一深沟槽、第二深沟槽以及交叉深沟槽内形成掺杂外延层。通过柱状结构与第一方向垂直的侧壁为110晶面，柱状结构与第三方向垂直的斜切面为100晶面的设置，能够使得最终封口填满交叉深沟槽时的缺陷得到明显改善，进而有效减少白噪声的产生，以提升最终形成的图像传感器的性能。
本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内具有第一离子； 对所述衬底进行图形化处理，形成若干呈阵列分布的柱状结构，沿第一方向排布的所述柱状结构之间具有第一深沟槽，沿第二方向排布的所述柱状结构之间具有第二深沟槽，沿第三方向排布的所述柱状结构之间具有交叉深沟槽，所述第一方向与所述第二方向相垂直，所述第三方向分别与所述第一方向和所述第二方向的夹角为45°，所述柱状结构与所述第一方向垂直的侧壁为110晶面，所述柱状结构与所述第三方向垂直的斜切面为100晶面； 在所述第一深沟槽、第二深沟槽以及交叉深沟槽内形成掺杂外延层，且所述掺杂外延层填充满所述第一深沟槽、第二深沟槽以及交叉深沟槽，所述掺杂外延层内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同。
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