中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑春生获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011428955.9，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑春生;甘露;张华;张文广设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，相邻栅极结构之间形成有电连接源漏掺杂层的底部源漏插塞，基底上形成有覆盖栅极结构的第一层间介质层，第一层间介质层中形成有露出底部源漏插塞的顶部的开口；第一刻蚀停止层，位于开口的侧壁；第二层间介质层，位于第一层间介质层、第一刻蚀停止层和底部源漏插塞的顶部；栅极插塞，贯穿相邻第一刻蚀停止层之间的第二层间介质层和第一层间介质层；顶部源漏插塞，贯穿相邻第一刻蚀停止层之间的第二层间介质层。通过开口侧壁的第一刻蚀停止层，提高顶部源漏插塞与底部源漏插塞的对准精度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，相邻所述栅极结构之间形成有电连接所述源漏掺杂层的底部源漏插塞，所述基底上形成有覆盖所述栅极结构的第一层间介质层，所述第一层间介质层中形成有露出所述底部源漏插塞的顶部的开口； 第一刻蚀停止层，位于所述开口的侧壁； 第二层间介质层，位于所述第一层间介质层、第一刻蚀停止层和底部源漏插塞的顶部； 栅极插塞，贯穿所述第二层间介质层和相邻所述第一刻蚀停止层之间的所述第一层间介质层，所述栅极插塞的底部与所述栅极结构相连； 顶部源漏插塞，贯穿相邻所述第一刻蚀停止层之间的所述第二层间介质层，所述顶部源漏插塞的底部与所述底部源漏插塞相连。
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