西安电子科技大学朱顺威获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210290824.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管是由朱顺威;贾护军;张云帆;王欢;杨银堂设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管在说明书摘要公布了：本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管，包括P型衬底，P型衬底的上方为超结，P型衬底的右上方为N型缓冲层，N型缓冲层的右上方为漏N重掺杂区，漏N重掺杂区使漏电极与N型缓冲层和包含超结P柱和超结N柱的超结形成欧姆接触，P型衬底的左上方为P型重掺杂区，P型重掺杂区右侧形成P阱，在P阱中形成源N型重掺杂区，源电极、栅电极和漏电极分布在整个器件的上表面。本发明通过使衬底与超结的表面电场分布趋于一致，消除衬底辅助耗尽效应的不利影响，提升器件的导通特性，提高器件击穿电压，同时也能有效地减弱从超结流向衬底的泄漏电流，且能使器件更接近理想超结的理论极限。
本发明授权一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管在权利要求书中公布了：1.一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管，其特征在于，包括P型衬底，所述P型衬底的上方为包含超结P柱和超结N柱的超结，所述P型衬底的右上方为N型缓冲层，所述N型缓冲层的长度为12μm，深度为6μm，掺杂浓度为3×1015cm-3，所述N型缓冲层的右上方为漏N重掺杂区，所述漏N重掺杂区用于使漏电极与N型缓冲层和包含超结P柱和超结N柱的超结形成欧姆接触，所述P型衬底的左上方为P型重掺杂区，所述P型重掺杂区的长度为3μm，深度为5μm，掺杂浓度为8×1016cm-3，所述P型重掺杂区右侧形成P阱，所述P阱的深度为3μm，长度为4μm，在所述P阱左上方形成源N型重掺杂区，源电极、栅电极和漏电极分布在整个器件的上表面，所述P型重掺杂区与源电极连接，所述漏N重掺杂区与漏电极连接。
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