上海华虹宏力半导体制造有限公司于涛易获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利分栅式存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210238323.9，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权分栅式存储器及其制造方法是由于涛易设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本分栅式存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种分栅式存储器及其制造方法，其中，所述分栅式存储器的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有字线，所述字线两侧的衬底上形成有垂直堆叠的浮栅、控制栅和第一侧墙；去除部分所述第一侧墙以暴露所述控制栅的异于所述字线一侧的部分表面；在所述浮栅和所述控制栅的异于所述字线一侧的侧壁上形成第二侧墙；以及，在暴露的部分所述控制栅上形成金属硅化物层。本发明通过在控制栅上形成金属硅化物层以减小控制栅电阻，从而减少接触孔数量，进而减小半导体器件的面积。
本发明授权分栅式存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅式存储器的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有字线，所述字线两侧的衬底上形成有垂直堆叠的浮栅、控制栅和第一侧墙，所述浮栅、所述控制栅和所述第一侧墙异于所述字线一侧的侧壁对齐； 沿着所述第一侧墙的侧壁去除部分所述第一侧墙以暴露所述控制栅的异于所述字线一侧的部分表面； 在所述浮栅和所述控制栅的异于所述字线一侧的侧壁上形成第二侧墙；以及， 在暴露的部分所述控制栅上形成金属硅化物层。
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