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龙图腾网获悉捷捷微电(南通)科技有限公司申请的专利一种多晶硅去除方法与扩散炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210434466.7，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种多晶硅去除方法与扩散炉是由杜盼晓;徐雷军;王友伟;王成森设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多晶硅去除方法与扩散炉在说明书摘要公布了：本申请提供了一种多晶硅去除方法与扩散炉，涉及半导体技术领域。首先基于外延片的表面生长介质层与多晶硅，其中，外延片包括沟槽，介质层与多晶硅位于外延片的表面与沟槽内，再对位于外延片表面的多晶硅进行氧化处理，以使位于外延片表面的多晶硅转变为氧化层，最后利用腐蚀液将介质层与氧化层去除，并保留位于沟槽内的介质层与多晶硅。本申请提供的多晶硅去除方法与扩散炉具有去除速率快，成本低，且不会造成多晶硅损伤，均匀性更好的优点。

本发明授权一种多晶硅去除方法与扩散炉在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅去除方法，其特征在于，所述多晶硅去除方法包括： 基于外延片的表面生长介质层与多晶硅，其中，所述外延片包括沟槽，所述介质层与所述多晶硅位于所述外延片的表面与所述沟槽内； 对位于所述外延片表面的多晶硅进行氧化处理，以使位于所述外延片表面的多晶硅转变为氧化层； 利用腐蚀液将介质层与氧化层去除，并保留位于所述沟槽内的介质层与多晶硅； 对位于所述外延片表面的多晶硅进行氧化处理的步骤包括：按10～15SLM的流量通入填充气体，并将生长介质层与多晶硅后的外延片置于600～700℃的扩散炉内； 将扩散炉内温度按5～10℃min的速率升温至700～900℃； 按15～30SLM的流量通入填充气体，直至所述扩散炉内的压力增加至5atm； 提升填充气体的流量，以使所述扩散炉内的压力达到6～10atm； 减小填充气体的流量，并通入氧化剂，其中，通入的氧化剂的流量与减小的填充气体的流量相等，并维持预设时间，以使位于所述外延片表面的多晶硅转变为氧化层； 在多晶硅氧化后，停止氧化剂的通入，并提升填充气体的流量，其中，填充气体的流量提升量等于的氧化剂的减少量； 对所述扩散炉降压降温。

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