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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利受光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114731381B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080079786.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权受光装置是由中村信男;蛯子芳树;远藤表德;河合信宏;古闲史彦;横川创造;寄门雄飞;若林准人设计研发完成，并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本受光装置在说明书摘要公布了：在受光装置1中，受光元件10包括将光转换成电荷的第一光电转换单元PD、从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元MEM、将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极150、从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元MEM和将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极150，其中当从半导体基板200的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着与列方向以预定角度相交的方向延伸通过第一光电转换单元的中心。

本发明授权受光装置在权利要求书中公布了：1.一种包括受光单元的受光装置，所述受光单元包括在半导体基板上沿着行方向和列方向配置的多个受光元件，其中 每个所述受光元件包括： 将光转换为电荷的第一光电转换单元； 从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元； 将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极； 从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元；和 将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极，和 当从所述半导体基板的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着与所述列方向以预定角度相交的方向延伸通过第一光电转换单元的中心， 其中每个所述受光元件还包括： 设置在所述半导体基板内的一个或多个第一浮动扩散区域； 第一传输栅极，其设置在所述半导体基板上以将传输到第一电荷累积单元的电荷传输到所述的一个或多个第一浮动扩散区域；和 第二传输栅极，其设置在所述半导体基板上以将传输到第二电荷累积单元的电荷传输到所述的一个或多个第一浮动扩散区域， 其中第一电荷累积单元和第二电荷累积单元中的每一个包括电极、第一绝缘膜和半导体层的叠层，和 其中第一绝缘膜由第一氧化膜构成， 第一传输栅极和第二传输栅极中的每一个具有设置在所述半导体基板上的第二氧化膜，和 第一氧化膜具有小于第二氧化膜的膜厚。

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