中国电子科技集团公司第十三研究所王元刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470509.7，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管是由王元刚;敦少博;吕元杰;韩婷婷;卜爱民;许靖;冯志红设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管，该方法包括在衬底的上表面外延生长n型的氧化镓沟道层；在氧化镓沟道层上制备掩膜层；对掩膜层的第一预设区域进行刻蚀处理，以露出氧化镓沟道层；在氧气氛围中，对露出的氧化镓沟道层进行多个预设温度下的退火处理，得到氧化层；在氧化层上制备第一光刻图形；在第一光刻图形上生长P型介质层，并且去除掩膜层；在衬底的下表面制备阴极电极并在P型介质层和氧化镓沟道层远离衬底的一侧制备阳极电极，通过先热氧化再沉积P型介质的方法制备氧化镓肖特基二极管，能够使二极管注入稳定的P型介质，有效抑制大功率器件的浪涌电流，增加器件击穿电压和可靠性。
本发明授权氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓肖特基二极管制备方法，其特征在于，包括： 在衬底的上表面外延生长n型的氧化镓沟道层； 在所述氧化镓沟道层上制备掩膜层； 对所述掩膜层的第一预设区域进行刻蚀处理，以露出所述氧化镓沟道层； 在氧气氛围中，对露出的氧化镓沟道层进行多个预设温度下的退火处理，得到氧化层；所述预设温度处于200℃至900℃之间；所述氧化层的裸露区域从体内到表面浓度依次降低； 在所述氧化层上制备第一光刻图形； 在所述第一光刻图形上生长P型介质层，并且去除掩膜层； 在所述衬底的下表面制备阴极电极并在所述P型介质层和所述氧化镓沟道层远离所述衬底的一侧制备阳极电极； 所述掩膜层包括第一介质掩膜层；对所述掩膜层的第一预设区域进行刻蚀处理，以露出所述氧化镓沟道层，包括： 对所述第一介质掩膜层的第一预设区域进行刻蚀处理，以露出所述氧化镓沟道层。
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