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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利氧化镓场效应晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470521.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权氧化镓场效应晶体管的制备方法是由吕元杰;刘宏宇;王元刚;付兴昌;方园;冯志红设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓场效应晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化镓场效应晶体管的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上外延生长n型氧化镓沟道层；在n型氧化镓沟道层的两端分别沉积源电极和漏电极；在n型氧化镓沟道层的预设沟道区域内制备光刻掩膜图形；对n型氧化镓沟道层进行刻蚀，得到多个不连续的刻蚀凹坑，相邻刻蚀凹坑相靠近的两侧壁在n型氧化镓沟道层上形成鳍状台面；鳍状台面的两个侧壁从源电极侧以相互远离的方式向漏电极侧延伸；利用介质保护，对鳍状台面区域进行热氧退火处理；在鳍状台面的上表面和两个侧壁以及靠近源电极的n型氧化镓沟道层上沉积栅电极。本发明通过制备斜的Fin沟道，使得栅电极具有更高的表面积与体积比，具有更好的栅控能力，从而提高器件的击穿特性。

本发明授权氧化镓场效应晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上外延生长n型氧化镓沟道层； 在所述n型氧化镓沟道层的两端分别沉积源电极和漏电极； 在所述n型氧化镓沟道层的预设沟道区域内制备光刻掩膜图形； 对所述n型氧化镓沟道层进行刻蚀，得到多个不连续的刻蚀凹坑，相邻所述刻蚀凹坑相靠近的两侧壁在所述n型氧化镓沟道层上形成鳍状台面；所述鳍状台面的两个侧壁从源电极侧以相互远离的方式向所述漏电极侧延伸；所述刻蚀凹坑在所述n型氧化镓沟道层上的俯视图为等腰梯形，其中靠近所述源电极侧的一边为下底，靠近所述漏电极侧的一边为上底； 在所述n型氧化镓沟道层上制备一层介质层，且所述介质层避开所述预设沟道区域；对所述预设沟道区域进行热氧化处理，并在热氧化处理后，去除所述介质层，提高阈值电压的控制能力； 在所述鳍状台面的上表面和两个侧壁以及靠近所述源电极的n型氧化镓沟道层上沉积栅电极。

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