中国电子科技集团公司第十三研究所吕元杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470865.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法是由吕元杰;刘宏宇;王元刚;付兴昌;马春雷;冯志红设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法。该器件包括：衬底，设于衬底上的n型氧化镓沟道层，设于n型氧化镓沟道层上的漏电极和源电极，设于漏电极和源电极之间的栅介质层，设于栅介质层上的栅电极；n型氧化镓沟道层对应于漏电极和源电极之间的部分包括第一沟道和至少一个鳍式沟道；第一沟道偏向源电极一侧；鳍式沟道设于漏电极与第一沟道之间；鳍式沟道的横截面呈指向源电极方向的对称阶梯状，阶梯个数大于等于2；栅电极在n型氧化镓沟道层上的垂直投影覆盖鳍式沟道与第一沟道的连接区域。本发明能够通过鳍式沟道结构，使栅电极具有更高的表面积、增加了阈值电压；鳍式沟道的尺寸减小，减小了尖峰电场，提升了器件击穿电压。
本发明授权一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓场效应晶体管器件，其特征在于，包括衬底，设于所述衬底上的n型氧化镓沟道层，设于所述n型氧化镓沟道层上的漏电极和源电极，设于所述漏电极和所述源电极之间的栅介质层，设于所述栅介质层上的栅电极； 所述n型氧化镓沟道层对应于漏电极和源电极之间的部分包括第一沟道和至少一个鳍式沟道； 所述第一沟道偏向源电极一侧； 所述鳍式沟道设于所述漏电极与所述第一沟道之间； 所述鳍式沟道的横截面呈指向源电极方向的对称阶梯状，阶梯个数大于等于2； 所述栅电极在n型氧化镓沟道层上的垂直投影覆盖鳍式沟道与第一沟道的连接区域；其中，栅电极在n型氧化镓沟道层上的垂直投影覆盖鳍式沟道偏向源电极一侧的部分和第一沟道偏向漏电极一侧的部分，同时不可覆盖鳍式沟道偏向漏电极一侧的部分。
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