新唐科技日本株式会社高山彻获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114747102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080079763.3，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法是由高山彻;油本隆司;横山毅;中谷东吾;高须贺祥一设计研发完成，并于2020-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法在说明书摘要公布了：半导体发光元件1具备基板10、配置在基板10的上方的n型包层12、配置在n型包层12的上方的活性层14和配置在活性层14的上方的p型包层17；活性层14具有阱层14d、配置在阱层14d的n型包层12侧的n侧第一势垒层14a和配置在阱层14d的p型包层17侧的p侧势垒层14f；p侧势垒层14f包含In；n侧第一势垒层14a的In组份比低于p侧势垒层14f的In组份比；n侧第一势垒层14a的带隙能量小于p侧势垒层14f的带隙能量。
本发明授权半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其特征在于， 具备： 基板； n型包层，配置在上述基板的上方； 活性层，配置在上述n型包层的上方；以及 p型包层，配置在上述活性层的上方； 上述活性层具有： 阱层； n侧第一势垒层，配置在上述阱层的上述n型包层侧，由含有Al、Ga及In和V族原子的四元半导体材料构成；以及 p侧势垒层，配置在上述阱层的上述p型包层侧，由含有Al、Ga及In和上述V族原子的四元半导体材料构成； 上述p侧势垒层包含In； 上述n侧第一势垒层的In组份比低于上述p侧势垒层的In组份比； 上述n侧第一势垒层的带隙能量小于上述p侧势垒层的带隙能量； 上述n侧第一势垒层的Al组份比低于上述p侧势垒层的Al组份比。
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