美光科技公司A·N·斯卡伯勒获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成式组合件和形成集成式组合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823691B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210094264.2，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权集成式组合件和形成集成式组合件的方法是由A·N·斯卡伯勒;J·D·格林利;J·D·霍普金斯设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成式组合件和形成集成式组合件的方法在说明书摘要公布了：一些实施例包含集成式组合件和形成集成式组合件的方法。沟道材料柱布置在存储器区内，且导电柱布置在所述另一区内。源极结构耦合到所述沟道材料柱的下部区。面板跨所述存储器区和所述另一区延伸。掺杂半导体材料在所述存储器区和所述另一区内紧邻所述面板。所述掺杂半导体材料是所述存储器区内的所述源极结构的至少部分。衬里紧邻所述导电柱且横向环绕所述导电柱。所述衬里在所述导电柱和所述掺杂半导体材料之间。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
本发明授权集成式组合件和形成集成式组合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成式组合件，其包括： 存储器区和与所述存储器区相邻的另一区； 布置在所述存储器区内的沟道材料柱和布置在所述另一区内的导电柱； 源极结构，其耦合到所述沟道材料柱的下部区； 面板，其跨所述存储器区和所述另一区延伸，并隔开第一存储器块区与第二存储器块区； 掺杂半导体材料，其在所述存储器区和所述另一区内紧邻所述面板；所述掺杂半导体材料是所述存储器区内的所述源极结构的至少部分；以及 衬里，其紧邻所述导电柱且横向环绕所述导电柱；所述衬里在所述导电柱和所述掺杂半导体材料之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励