株式会社东芝;东芝高新材料公司米津麻纪获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝高新材料公司申请的专利接合体、陶瓷铜电路基板、接合体的制造方法及陶瓷铜电路基板的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114846912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180007322.7,技术领域涉及:H05K3/38;该发明授权接合体、陶瓷铜电路基板、接合体的制造方法及陶瓷铜电路基板的制造方法是由米津麻纪;末永诚一;藤泽幸子;佐野孝设计研发完成,并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本接合体、陶瓷铜电路基板、接合体的制造方法及陶瓷铜电路基板的制造方法在说明书摘要公布了:一种接合体,其是具备陶瓷基板和介由接合层与上述陶瓷基板接合的铜板的接合体,其特征在于,上述铜板具有与上述陶瓷基板和上述铜板接合的方向垂直的表面,在上述表面中所含的5mm×5mm的3个区域中,长径超过400μm的铜晶粒的个数比例为0%~5%。优选接合温度为800℃以下。此外,优选长径超过400μm的铜晶粒的个数比例为1%以下。
本发明授权接合体、陶瓷铜电路基板、接合体的制造方法及陶瓷铜电路基板的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种接合体,其特征在于,其是具备陶瓷基板和介由含有活性金属的接合层与所述陶瓷基板的两面分别接合的铜板的接合体,其中, 所述陶瓷基板为热导率为80Wm·K以上的氮化硅基板或热导率为160Wm·K以上的氮化铝基板中的任一者, 所述接合层含有选自Ag、Cu、Sn、In及C中的1种或2种以上、和钛, 所述铜板具有与所述陶瓷基板和所述铜板接合的方向垂直的表面, 在所述表面中所含的5mm×5mm的3个区域中,长径超过400μm的铜晶粒的个数比例为0%~5%,所述长径为所述铜晶粒的外缘上的2点间的距离中最长的距离, 所述陶瓷基板的波纹度曲线的算术平均高度Wa为3.7μm以下, 所述波纹度曲线的最大截面高度Wt为24μm以下, 所述陶瓷基板与所述铜板的接合强度为15kNm以上, 在所述3个区域中,所述铜晶粒的长径的平均值为30μm~300μm, 在所述3个区域中,长径为平均范围内的所述铜晶粒的个数比例为80%以上, 所述平均范围为所述3个区域中的所述铜晶粒的长径的平均值的0.5倍~2倍。
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