开元通信技术(厦门)有限公司;麦姆斯通信技术(上海)有限公司刘苗获国家专利权
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龙图腾网获悉开元通信技术(厦门)有限公司;麦姆斯通信技术(上海)有限公司申请的专利一种射频功率放大器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114915270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110176191.7，技术领域涉及：H03F3/19；该发明授权一种射频功率放大器及电子设备是由刘苗;彭波华;胡念楚;贾斌设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频功率放大器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种射频功率放大器，包括：晶体管和由下至上依次层叠的多层基板，相邻两层所述基板之间分布有通孔，所述晶体管位于除最顶层所述基板之外的任意相邻两层所述基板之间，且所述晶体管的衬底厚度小于等于所述晶体管所在的相邻两层所述基板之间的距离。本申请中，晶体管位于除去最顶层之外的其他任意相邻两层基板之间，并且晶体管的衬底厚度小于等于该相邻两层基板间的间距，因此，晶体管上的发射极到地的电长度减小，所以接地电感减小，并且，由于晶体管不位于最顶层，散热通路变短，所以散热通路热阻减小，散热效果提升，射频功率放大器的性能增强。此外，本申请还提供一种具有上述优点的电子设备。
本发明授权一种射频功率放大器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括： 晶体管和由下至上依次层叠的多层基板，相邻两层所述基板之间分布有通孔，所述晶体管位于除最顶层所述基板之外的任意相邻两层所述基板之间，且所述晶体管的衬底厚度小于等于所述晶体管所在的相邻两层所述基板之间的距离；所述晶体管的数量为多个，且呈阵列式分布； 所述晶体管为异质结双极晶体管； 所述晶体管的安装方式为正面朝下安装，其中，所述晶体管的正面为发射极所在的表面； 异质结双极晶体管采用正面朝下的安装方式位于最底层基板和倒数第二层基板之间，异质结双极晶体管的发射极直接贴附于最底层的接地通孔上； 所述通孔直接连接相邻的两层基板。
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