株式会社日立高新技术山口欣秀获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利半导体制造方法和半导体制造装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114916240B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080016128.0，技术领域涉及：H01L21/302；该发明授权半导体制造方法和半导体制造装置是由山口欣秀;佐藤清彦设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造方法和半导体制造装置在说明书摘要公布了：一种使用具备处理室1的半导体制造装置100的半导体制造方法，其中，具有：第一工序，向载置有在表面形成有含有过渡金属元素的含过渡金属膜的晶片2的处理室内供给络合化气体，使作为络合化气体的成分的有机化合物吸附于含过渡金属膜；第二工序，对在含过渡金属膜上吸附有有机化合物的晶片进行加热，使有机化合物与过渡金属元素反应而转化成有机金属络合物，并使有机金属络合物脱离，有机化合物是具有路易斯碱性，并能够与过渡金属元素形成双齿以上的配位键的多齿配体分子。
本发明授权半导体制造方法和半导体制造装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造方法，是使用具备处理室的半导体制造装置的半导体制造方法，其中，具有： 第一工序，向载置有在表面形成有含有过渡金属元素的含过渡金属膜的晶片的所述处理室内供给络合化气体，使作为所述络合化气体的成分的有机化合物吸附于所述含过渡金属膜； 第二工序，对在所述含过渡金属膜上吸附有所述有机化合物的所述晶片进行加热，使所述有所述机化合物与所述过渡金属元素反应而转化成有机金属络合物，并使所述有机金属络合物脱离， 所述有机化合物是以下1、2中的任意一个： 1是结合有羰基的芳香族化合物，是在结合有所述羰基的芳香族环上的碳原子相邻的所述芳香族环上的碳原子上具备具有路易斯碱性的取代基的有机化合物； 2是脂肪族三胺、脂肪族四胺、脂肪族五胺中的任意一个。
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