株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社井野匡贵获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110676496.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由井野匡贵设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够抑制翘曲的半导体装置。实施方式的半导体装置包括第一金属层、电介质层、第二金属层、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一控制电极以及第一电极。电介质层设于第一金属层之上。第二金属层设于电介质层之上，并与第一金属层电连接。第一半导体区域设于第二金属层之上，是与第二金属层电连接的第一导电型。第二半导体区域设于第一半导体区域之上，是第二导电型。第三半导体区域设于第二半导体区域之上，是第一导电型。第一控制电极隔着第一绝缘膜与第二半导体区域对置。第一电极设于第三半导体区域以及第一控制电极之上，与第三半导体区域电连接，并通过第一绝缘部与第一控制电极绝缘。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，具备： 第一金属层； 电介质层，设于所述第一金属层之上； 第二金属层，设于所述电介质层之上，比所述第一金属层薄，并与所述第一金属层电连接； 第一导电型的第一半导体区域，设于所述第二金属层之上，并与所述第二金属层电连接； 第二导电型的第二半导体区域，设于所述第一半导体区域之上； 第一导电型的第三半导体区域，设于所述第二半导体区域之上； 第一控制电极，隔着第一绝缘膜而与所述第二半导体区域对置；以及 第一电极，设于所述第三半导体区域以及所述第一控制电极之上，与所述第三半导体区域电连接，并通过第一绝缘部而与所述第一控制电极绝缘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励