广州华星光电半导体显示技术有限公司蒙艳红获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法和显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115000081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210363414.5,技术领域涉及:H10D86/60;该发明授权阵列基板及其制备方法和显示面板是由蒙艳红设计研发完成,并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制备方法和显示面板在说明书摘要公布了:本申请公开了一种阵列基板及其制备方法和显示面板。所述阵列基板包括:衬底基板,栅极,设置在所述衬底基板上;栅绝缘层,设置在所述栅极上;有源层,设置在所述栅绝缘层上,源极和漏极,设置在所述有源层上;钝化层,设置在所述源极和漏极上;平坦层,设置在钝化层上;公共电极,设置在所述平坦层上;并且,所述公共电极包括依次层叠设置的第一导电层、金属导电层和第二导电层。本申请阵列基板中的公共电极采用氧化金属导电层金属导电层氧化金属导电层的结构,可以有效防止电极中的金属层被氧化,进而提高了阵列基板器件的稳定性。
本发明授权阵列基板及其制备方法和显示面板在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,其特征在于,包括: 衬底基板, 栅极,设置在所述衬底基板上; 栅绝缘层,设置在所述栅极上; 有源层,设置在所述栅绝缘层上, 源极和漏极,设置在所述有源层上; 钝化层,设置在所述源极和漏极上; 平坦层,设置在钝化层上; 公共电极,设置在所述平坦层上;并且,所述公共电极包括依次层叠设置的第一导电层、金属导电层和第二导电层; 其中,所述第一导电层的材料为氧化铟锡;所述金属导电层的材料为铜;所述第二导电层的材料为氧化铟锡; 其中,所述第一导电层的厚度为400~800埃;所述金属导电层的厚度为2000~4000埃;所述第二导电层的厚度为100~200埃。
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