株式会社日立高新技术服部孝司获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210123448.7，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权蚀刻方法是由服部孝司;山田将贵;迈克尔·沃克;凯瑟琳·金;大竹浩人设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供蚀刻方法，兼顾高的氧化硅膜的蚀刻速率和低的氮化硅膜的蚀刻速率，以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地蚀刻氧化硅膜。一种蚀刻方法，是干式蚀刻方法，在向处理室内供给处理用的气体且不使用等离子的状态下蚀刻膜构造，其中所述膜构造预先形成于配置在所述处理室内的晶片上，氧化硅膜被氮化硅膜上下夹着而层叠的膜层的端部构成槽或孔的侧壁的，其特征在于，供给氟化氢气体，使所述晶片冷却为‑30℃以下，优选为‑30℃～‑60℃，从所述端部沿横向对所述氧化硅膜进行蚀刻。
本发明授权蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，是干式蚀刻方法，在向处理室内供给处理用的气体且不使用等离子的状态下蚀刻膜构造，其中所述膜构造预先形成于配置在所述处理室内的晶片上，氧化硅膜被氮化硅膜上下夹着而层叠的膜层的端部构成槽或孔的侧壁， 所述蚀刻方法的特征在于， 供给氟化氢的气体，使所述晶片的温度为-30℃以下并且为-60℃以上，从所述端部沿横向对所述氧化硅膜进行蚀刻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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