华中科技大学高亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利量子点光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210548520.0，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权量子点光电探测器及其制备方法是由高亮;唐江;张琳祥;陈龙;胡军;刘宇轩;刘沛林设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及光电探测技术领域。并公开了一种量子点光电探测器及其制备方法。该量子点光电探测器包括：PbS量子点吸光层和SnO2电子传输层，该PbS量子点吸光层的吸收峰在1300nm以上。在示例中，该量子点光电探测器的结构从下往上依次为底电极由ITO或金制成、空穴传输层、PbS量子点吸光层、缓冲层、SnO2电子传输层和顶电极由ITO制成。在示例中，该SnO2电子传输层由原子层沉积ALD法制备。本实施例，对于吸收峰在1300nm以上的情况，具有更合适的能带结构有助于光生载流子的抽取，导致性能更好，同时采用SnO2作为电子传输层，其禁带宽度大可实现近紫外波段探测，提升器件的探测范围。另外，采用ALD法制备的SnO2电子传输层，其成膜更致密且具有自封装的效果。
本发明授权量子点光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点光电探测器，其特征在于，包括：PbS量子点吸光层和位于其上的SnO2电子传输层，所述PbS量子点吸光层的吸收峰为1300nm； 还包括：底电极、空穴传输层、缓冲层和顶电极，其中，所述底电极、空穴传输层、PbS量子点吸光层、缓冲层、SnO2电子传输层和顶电极依次重叠； 所述底电极为ITO底电极或金电极，所述空穴传输层包括：重叠的NiO空穴传输层和PbS-EDT空穴传输层，所述缓冲层为C60缓冲层，所述顶电极为ITO顶电极；其中，所述NiO空穴传输层与所述底电极接触，所述PbS-EDT空穴传输层与所述PbS量子点吸光层接触。
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