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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148689B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110339425.5，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体装置及其形成方法是由林育祈设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法，所述半导体装置包括：衬底、栅极、源极漏极区、第一介电层、蚀刻停止层、第二介电层、附加介电层、导电接触件以及位线。栅极位于衬底上。源极漏极区在衬底中位于栅极侧边。第一介电层位于栅极上方。蚀刻停止层位于第一介电层上。第二介电层位于蚀刻停止层上。附加介电层位于第二介电层及蚀刻停止层中。导电接触件穿过第一介电层且电性连接至源极漏极区。位线穿过第二介电层、蚀刻停止层以及附加介电层，且与导电接触件电性连接。

本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底； 栅极，位于所述衬底上； 源极漏极区，在所述衬底中位于所述栅极侧边； 第一介电层，位于所述栅极上方； 蚀刻停止层，位于所述第一介电层上； 第二介电层，位于所述蚀刻停止层上； 附加介电层，位于所述第二介电层、所述蚀刻停止层及所述第一介电层中，其中所述附加介电层延伸穿过所述第二介电层及所述蚀刻停止层并延伸至所述第一介电层中，其中所述附加介电层的侧壁与所述第一介电层、所述蚀刻停止层及所述第二介电层接触，且与所述侧壁相连的所述附加介电层的底面与所述第一介电层接触； 导电接触件，穿过所述第一介电层且电性连接至所述源极漏极区；以及 位线，穿过所述第二介电层、所述蚀刻停止层以及所述附加介电层并延伸至所述第一介电层中，且与所述导电接触件电性连接， 其中所述位线包括： 第一部分，位于所述第一介电层、所述第二介电层及所述蚀刻停止层中，其中所述第一部分的底面与所述第一介电层接触，且所述第一部分的侧壁与所述第二介电层、所述蚀刻停止层和所述第一介电层物理接触；以及 第二部分，位于所述附加介电层及所述第一介电层中，所述第二部分的侧壁被所述附加介电层环绕包覆且与所述附加介电层物理接触，且其中所述第二部分与所述第一部分连接且上覆于所述导电接触件，其中所述第二部分与所述第二介电层及所述蚀刻停止层被所述附加介电层间隔开， 其中所述位线与所述导电接触件一体成型，且在所述位线与所述导电接触件之间不存在界面， 其中所述位线沿第一方向延伸，所述导电接触件的顶部宽度不大于所述位线在第二方向上的底部宽度，所述第二方向垂直于所述第一方向。

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