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龙图腾网获悉深圳市思坦科技有限公司申请的专利一种柔性Micro-LED及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210786110.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种柔性Micro-LED及其制备方法、显示装置是由邱成峰;陈家华设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种柔性Micro-LED及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种柔性Micro‑LED及其制备方法、显示装置，属于LED显示领域。柔性Micro‑LED的制备方法包括获取外延片和柔性基板；在外延片远离衬底的一侧蚀刻形成多个相间隔的PN结；在每一个PN结远离衬底的一侧喷涂第一导电层；每一个PN结与一个第一导电部对位键合；在第一CPI膜远离基板的一侧涂覆有所述第五光刻胶，第五光刻胶上蚀刻有多个相间隔的光刻槽，在每一个光刻槽中填充有一个量子点；在第二CPI膜远离基底的一侧贴附多个相间隔的滤色片；每一个滤色片与一个光刻槽对位键合，剥离基底，以形成柔性Micro‑LED。通过剥离基底而使用CPI膜取代，减小了Micro‑LED的厚度，通过柔性的CPI膜、银纳米线导电层、柔性光刻胶等柔性材料的选取和加工与软性基板键合以形成柔性Micro‑LED。

本发明授权一种柔性Micro-LED及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种柔性Micro-LED的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，获取外延片和柔性基板，所述外延片包括衬底、N半导体层、量子阱和P半导体层； S2，在外延片远离衬底的一侧蚀刻形成多个相间隔的PN结，在N半导体层、量子阱和P半导体层上蚀刻，以形成多个相间隔的所述PN结； S3，在每一个PN结远离衬底的一侧喷涂第一导电层，所述第一导电层为金属纳米层； S4，在柔性基板上设置多个相间隔的第一导电部和多个相间隔的第二导电部，所述PN结的数量与所述第一导电部的数量相等，将每一个PN结与一个第一导电部对位键合，并将衬底剥离； S5，在柔性基板的一侧沉积钝化层，以覆盖每一个PN结； S6，在钝化层上蚀刻导向孔，以漏出每一个第二导电部和每一个N半导体层，再在钝化层上喷涂第二导电层，并填充于导向孔，以实现PN结导通； S7，在第二导电层远离基板的一侧层叠有第一CPI膜，在第一CPI膜远离基板的一侧涂覆有第五光刻胶，第五光刻胶上蚀刻有多个相间隔的光刻槽，一部分的光刻槽中填充有量子点，每一个所述PN结在所述第五光刻胶所在平面的正投影至少部分覆盖于一个所述光刻槽，所述第五光刻胶为柔性光刻胶； S8，获取基底，在基底上层叠第二CPI膜，并在第二CPI膜远离基底的一侧贴附多个相间隔的滤色片； S9，将第二CPI膜贴附于第五光刻胶上，以使每一个滤色片与一个光刻槽对位键合，最后剥离基底，以形成柔性Micro-LED。

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