南亚科技股份有限公司吴智琮获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210094612.6，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体元件及其制备方法是由吴智琮设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种在环绕式栅极晶体管之间具有气隙的半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一栅极堆叠以及一第二栅极堆叠，设置在一半导体基底上。该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠至少其中一个具有多个栅极层，且该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠之间具有一气隙。该半导体元件亦具有一第一栅极结构以及一第二栅极结构，分别设置在该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠上；以及一第一介电层，围绕该第一栅极结构的各下侧壁以及该第二栅极结构的各下侧壁。该第一栅极结构的一宽度大于该第一栓塞的一宽度。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一第一栅极堆叠与一第二栅极堆叠，设置在一半导体基底上，其中该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠的其中一个包括多个栅极层，其中该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠之间具有一气隙； 一第一栅极结构与一第二栅极结构，分别设置在该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠上； 一第一介电层，围绕该第一栅极结构的各下侧壁以及该第二栅极结构的各下侧壁； 一第一着陆垫，设置在该第一栅极结构的一上表面与各上侧壁上； 一第一栓塞，设置在该第一着陆垫上并电性连接到该第一栅极结构，其中该第一栅极结构的一宽度大于该第一栓塞的一宽度； 一第二介电层，设置在该第一介电层上，其中该第一着陆垫与该第一栓塞被该第二介电层所围绕；以及 一第一阻障层，覆盖该第一栅极结构的一下表面、各下侧壁以及各上侧壁，其中该第一阻障层夹置在该第一着陆垫与该第一栅极结构之间。
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