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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十九研究所申请的专利一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115236566B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210879371.6，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片是由周志炜;张高举;孙权;陈宝成;尹延昭;刘兴宇;张鹏;王世宁;于洋设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片在说明书摘要公布了：一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，它涉及一种弱磁传感器敏感芯片。本发明为了解决现有的弱磁传感器存在测量精度差、测量方向单一的问题。本发明包括电极引线层10、四端惠斯通桥式磁阻20、置位复位电流带31和偏置磁场带41，电极引线层10、四端惠斯通桥式磁阻20、置位复位电流带31和偏置磁场带41由上至下依次封装，且电极引线层10与四端惠斯通桥式磁阻20之间，四端惠斯通桥式磁阻20与置位复位电流带31之间，置位复位电流带31与偏置磁场带41之间均设置有绝缘层；四端惠斯通桥式磁阻20中的四端惠斯通电阻桥层21封装在磁阻层22上。本发明用于弱磁测量。

本发明授权一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：它包括两片单轴弱磁传感器敏感芯片，两片单轴弱磁传感器敏感芯片的结构相同，且上下堆叠、呈90度，每片单轴弱磁传感器敏感芯片均包括电极引线层10、四端惠斯通桥式磁阻20、置位复位电流带31和偏置磁场带41，电极引线层10、四端惠斯通桥式磁阻20、置位复位电流带31和偏置磁场带41由上至下依次封装，且电极引线层10与四端惠斯通桥式磁阻20之间，四端惠斯通桥式磁阻20与置位复位电流带31之间，置位复位电流带31与偏置磁场带41之间均设置有绝缘层； 其中，四端惠斯通桥式磁阻20包括四端惠斯通电阻桥层21和磁阻层22，四端惠斯通电阻桥层21封装在磁阻层22上； 磁阻层22包括19个平行设置的双尖头左磁阻条2201和19个平行设置的双尖头右磁阻条2202，双尖头左磁阻条2201和双尖头右磁阻条2202水平放置，方向相同，所述双尖头左磁阻条2201和双尖头右磁阻条2202的材料为铁镍合金； 四端惠斯通电阻桥层21包括电阻桥层本体、上供电电极2101、输出正极2102、接地电极2103、输出负电极2104和下供电电极2105，上供电电极2101、输出正极2102、接地电极2103、输出负电极2104和下供电电极2105分别安装在电阻桥层本体上，其中，上供电电极2101、输出正极2102、接地电极2103、输出负电极2104和下供电电极2105的安装位置分别与第一供电电极孔101、输出正电极孔102、接地电极孔103、输出负电极孔105和第二供电电极孔106对应； 置位复位电流带31采用上、下双螺旋环状结构，上螺旋环状结构从里到外的顺时针螺旋型环状结构，下螺旋环状结构从里到外的逆时针螺旋型环状结构，中间为连接处，两端缺口与置位复位负电极孔104和置位复位正电极孔108相连接。

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