晶澳(扬州)太阳能科技有限公司蒋秀林获国家专利权
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龙图腾网获悉晶澳(扬州)太阳能科技有限公司申请的专利一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211063115.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池是由蒋秀林;陈斌;秦怡;王玉林设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，该方法包括：在硅基体厚度方向一侧由内至外依次制备第一隧穿氧化硅层、第一多晶硅层、第一氧化层以及包括有第一类型掺杂元素的第一掺杂层；在硅基体厚度方向另一侧由内至外依次制备第二隧穿氧化硅层以及第二多晶硅层；对包含有第二多晶硅层和掺杂层的硅基体进行高温退火，以为第二多晶硅层引入并激活第二类型掺杂元素，同时使第一掺杂层包含的第一类型掺杂元素进入第一多晶硅层并激活第一类型掺杂元素。该实施方式通过调节第一氧化层的厚度和或第一掺杂层中掺杂元素的浓度，使得经过一次退火同时保证了第一多晶硅层和第二多晶硅层中掺杂元素的掺杂浓度达到最优，提高了制备效率。
本发明授权一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 步骤1，在硅基体100的厚度方向一侧由内至外依次制备第一隧穿氧化硅层201、第一多晶硅层301、第一氧化层401以及包括有第一类型掺杂元素的第一掺杂层501； 步骤2，在所述硅基体100的厚度方向另一侧由内至外依次制备第二隧穿氧化硅层202以及第二多晶硅层302； 步骤3，对包含有所述第二多晶硅层302和所述第一掺杂层501的硅基体进行高温退火，以为所述第二多晶硅层302引入并激活第二类型掺杂元素，同时使所述第一掺杂层501包含的第一类型掺杂元素进入所述第一多晶硅层301并激活所述第一类型掺杂元素； 步骤4，利用酸性刻蚀溶液去除所述第一氧化层401以及所述第一掺杂层501，形成两侧分别具有第一掺杂多晶硅层301’和第二掺杂多晶硅层302’的电池基材。
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