联华电子股份有限公司李信宏获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110521137.1，技术领域涉及：H10D30/64；该发明授权半导体结构及其制作方法是由李信宏设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，两浅沟隔离结构位于该基底内，其中在该两浅沟隔离结构之间定义有一第一区域、一第二区域以及一第三区域，其中该第二区域位于该第一区域以及该第三区域之间，两厚氧化层，分别位于该第一区域以及该第三区域之内，且分别直接接触该两浅沟隔离结构，以及一薄氧化层，位于该第二区域内，其中该第一区域内的该厚氧化层的厚度大于该第二区域内的该薄氧化层的厚度。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含: 基底； 两浅沟隔离结构，位于该基底内，其中在该两浅沟隔离结构之间定义有第一区域、第二区域以及第三区域，其中该第二区域位于该第一区域以及该第三区域之间； 两厚氧化层，分别位于该第一区域以及该第三区域之内，且分别直接接触该两浅沟隔离结构； 薄氧化层，位于该第二区域内，其中该第一区域内的该厚氧化层的厚度大于该第二区域内的该薄氧化层的厚度，该薄氧化层的底面低于该第一区域或该第三区域的该基底的顶面以形成下凹剖面结构，其中该第一区域内的该厚氧化层的厚度大于该第二区域内的该薄氧化层的厚度10%~30%；以及 栅极结构，位于该薄氧化层上与该厚氧化层上，其中该栅极结构位于该第二区域内，且位于部分该第一区域与该第三区域内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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