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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体发光元件以及半导体发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211136232.0，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权半导体发光元件以及半导体发光装置是由光井靖智;久纳康光;广木均典;林茂生;粂雅博;能米雅信设计研发完成，并于2020-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体发光元件以及半导体发光装置在说明书摘要公布了：半导体发光装置，具有半导体发光元件。半导体发光元件20，具有：半导体层叠体30，具有n型层32、以及p型层36，并且具有作为n型层32露出的凹部的一个以上的n露出部30e；被配置在p型层36上的p布线电极层42；绝缘层44，连续地覆盖一个以上的n露出部30e的内侧面30s、以及p布线电极层42的上方的一部分，具有使n型层32露出的开口部44a；n布线电极层46，在开口部44a与n型层32接触，被配置在p型层36以及p布线电极层42的上方；以及一个以上的第一n连接部件51，一个以上的第一n连接部件51，分别在一个以上的第一n端子区域51r与n布线电极层46连接，在一个以上的第一n端子区域51r的下方，配置n布线电极层46以及p型层36。

本发明授权半导体发光元件以及半导体发光装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光装置，具有半导体发光元件和具有第一布线电极及第二布线电极的安装衬底， 所述半导体发光元件，具有： 半导体层叠体，具有n型层、被配置在所述n型层的上方的发光层、以及被配置在所述发光层的上方的p型层，该半导体层叠体具有作为所述n型层露出的凹部的一个以上的n露出部； p布线电极层，被配置在所述p型层上； 绝缘层，连续地覆盖所述一个以上的n露出部的内侧面、以及所述p布线电极层的上方的一部分，具有在所述一个以上的n露出部的底面使所述n型层露出的开口部； n布线电极层，在所述开口部与所述n型层接触，经由所述绝缘层被配置在所述p型层以及所述p布线电极层的上方；以及 作为用于与外部电连接的导电性部件的一个以上的第一n连接部件， 所述一个以上的第一n连接部件，是由Au构成的凸块，分别在一个以上的第一n端子区域与所述n布线电极层固态接合而成为一体， 在平面视图中所述一个以上的第一n端子区域，包括所述开口部的上方的区域的至少一部分， 在与所述半导体层叠体的层叠方向平行的截面，在所述一个以上的第一n端子区域的下方，配置所述n布线电极层以及所述p型层， 所述一个以上的第一n连接部件，与所述安装衬底的所述第一布线电极接合， 所述p布线电极层，在从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域，经由作为导电性部件的p连接部件与所述安装衬底的第二布线电极接合， 所述一个以上的第一n连接部件各自的与所述n布线电极层近的端部的粒径，比离所述n布线电极层远的端部的粒径大。

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