福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210965553.5，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体元件及其制造方法是由童宇诚;张钦福设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体元件，包括衬底，多个有源区设置在衬底中，分别沿着一第一方向延伸并排列成阵列。多个隔离结构设置在衬底中并且位于有源区之间。隔离结构分别包括一上半部以及一下半部，其中上半部的侧壁包括第一斜率，下半部的侧壁包括第二斜率，第一斜率与第二斜率不同。一半导体层，介于上半部与有源区之间。接触插塞，设置在有源区上并且与半导体层直接接触。本发明可改善隔离结构的填充品质并且降低接触插塞的接触电阻。
本发明授权半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包括： 一衬底； 多个有源区设置在所述衬底中，分别沿着一第一方向延伸并排列成阵列； 多个隔离结构，设置在所述衬底中并且位于所述多个有源区之间，其中所述隔离结构分别包括一上半部以及位于所述上半部下方的一下半部，其中所述上半部的隔离结构侧壁包括第一斜率以及第一厚度，所述下半部的隔离结构侧壁包括第二斜率以及第二厚度，所述第一斜率与所述第二斜率不同；以及 一半导体层，介于所述上半部与所述有源区之间；位于所述半导体层之间的所述上半部与所述下半部交界处的宽度相等； 所述有源区的侧边之间的所述隔离结构的深度小于所述有源区的端部之间的所述隔离结构的深度； 多条字线，设置在所述衬底中；所述字线包括一导电层，所述导电层的顶面高于所述半导体层的底部，且所述导电层的底部高于所述下半部的底部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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