联华电子股份有限公司王慧琳获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利形成半导体存储器元件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110538653.5，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权形成半导体存储器元件的方法是由王慧琳设计研发完成，并于2021-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体存储器元件的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种形成半导体存储器元件的方法，包含在磁穿隧结堆叠层上形成上电极层；形成仅覆盖逻辑电路区的图案化缓冲层；在上电极层和图案化缓冲层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成图案化光致抗蚀剂层；以及进行第一蚀刻制作工艺以蚀刻存储器区中未被图案化光致抗蚀剂层覆盖的硬掩模层和上电极层，以及蚀刻逻辑电路区中的硬掩模层、图案化缓冲层和上电极层，从而形成在存储器区中的磁穿隧结堆叠层上的上电极和位于磁穿隧结堆叠层上且仅覆盖逻辑电路区的剩余上电极层。
本发明授权形成半导体存储器元件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体存储器元件的方法，包含： 提供基底，所述基底包含存储器区和逻辑电路区； 在所述基底上形成第一层间介电层； 在所述第一层间介电层上形成第二层间介电层； 在所述存储器区内的所述第二层间介电层中形成至少一通孔； 在所述至少一通孔和所述第二层间介电层上形成磁穿隧结堆叠层； 在所述磁穿隧结堆叠层上形成上电极层； 形成仅覆盖所述逻辑电路区的图案化缓冲层； 在所述上电极层和所述图案化缓冲层上形成硬掩模层； 在所述硬掩模层上形成图案化光致抗蚀剂层； 进行第一蚀刻制作工艺以蚀刻所述存储器区中未被所述图案化光致抗蚀剂层覆盖的所述硬掩模层和所述上电极层，以及蚀刻所述逻辑电路区中的所述硬掩模层、所述图案化缓冲层和所述上电极层，从而形成在所述存储器区中的磁穿隧结堆叠层上的上电极和位于所述磁穿隧结堆叠层上且仅覆盖所述逻辑电路区的剩余上电极层； 在进行所述第一蚀刻制作工艺之后进行第二蚀刻制作工艺，以蚀刻所述存储器区中未被所述上电极覆盖的所述磁穿隧结堆叠层和所述第二层间介电层，同时蚀刻所述逻辑电路区内的所述剩余上电极层、所述磁穿隧结堆叠层和所述第二层间介电层。
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