住友电工光电子器件创新株式会社斋藤鲇彦获国家专利权
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龙图腾网获悉住友电工光电子器件创新株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115398611B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180027917.9，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体装置是由斋藤鲇彦设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一个实施方式的半导体装置具备：半导体芯片，具有设于基板上的晶体管和漏极焊盘；电容器，具有夹着电介质的上部电极和下部电极；焊盘；以及空焊盘，设于半导体芯片的基板上。该半导体装置还具备：第一引线，将焊盘与半导体芯片的漏极焊盘相互连接；第二引线，将空焊盘与电容器的上部电极相互连接；以及第三引线，将焊盘与空焊盘相互连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体芯片，具有设于基板上的晶体管和电极焊盘； 电容器，具有夹着电介质的上部电极和下部电极； 第一中继焊盘； 第二中继焊盘，设于所述半导体芯片的所述基板上； 第一引线，将所述第一中继焊盘与所述半导体芯片的所述电极焊盘相互连接； 第二引线，将所述第二中继焊盘与所述电容器的所述上部电极相互连接；以及 第三引线，将所述第一中继焊盘与所述第二中继焊盘相互连接， 所述第一中继焊盘配置于所述电容器的所述电介质上的与所述上部电极分离的位置， 所述第二中继焊盘沿着所述半导体芯片的一边配置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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