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龙图腾网获悉杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学申请的专利一种IQ双平衡FET阻性混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115473497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211214728.5，技术领域涉及：H03D7/14；该发明授权一种IQ双平衡FET阻性混频器是由程知群;林孝鑫;乐超设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IQ双平衡FET阻性混频器在说明书摘要公布了：本发明公开了IQ双平衡FET阻性混频器，本振信号从本振正交耦合器输入，经过本振第一功放、本振第二功放，再经过两个并联的本振第一、第二巴伦，将本振信号转化为四个本振输出信号，分别连接四个本振阻抗匹配网络，用于两个双平衡FET阻性混频器；射频信号从射频巴伦输入，分别连接两个射频T型结功分器，将射频信号转化为四个平衡的输出端口，用于两个双平衡FET阻性混频器；从两个双平衡FET阻性混频器引出四个彼此相位差为90度的中频信号，改善了变频损耗和镜像抑制度，缩小镜频抑制混频器芯片部分的面积，降低成本。

本发明授权一种IQ双平衡FET阻性混频器在权利要求书中公布了：1.一种IQ双平衡FET阻性混频器，其特征在于，包括本振正交耦合器、本振第一功放、本振第二功放、本振第一巴伦、本振第二巴伦、两个双平衡FET阻性混频器、四个本振阻抗匹配网络、两个射频T型结功分器和射频巴伦，其中， 本振信号从本振正交耦合器输入，经过本振第一功放和本振第二功放，本振第一功放输出连接本振第一巴伦，本振第二功放输出连接本振第二巴伦，将本振信号转化为四个本振输出信号，分别连接四个本振阻抗匹配网络，经本振第一巴伦转化连接的两个本振阻抗匹配网络输入第一双平衡FET阻性混频器，经本振第二巴伦转化连接的两个本振阻抗匹配网络输入第二双平衡FET阻性混频器，两个双平衡FET阻性混频器的输出各经过一个射频T型结功分器后，均输入一个射频巴伦，从两个双平衡FET阻性混频器引出四个彼此相位差为90度的中频信号； 所述第一双平衡FET阻性混频器包括第一FET管f1、第二FET管f2、第三FET管f3和第四FET管f4，所述第二双平衡阻性FET混频器包括第五FET管f5、第六FET管f6、第七FET管f7和第八FET管f8，其中， 第一FET管f1的栅极与第三FET管f3的栅极连接，第一FET管f1的漏极与第二FET管f2的漏极连接，第一FET管f1的源极与第四FET管f4的源极连接，第二FET管f2的栅极与第四FET管f4的栅极连接，第二FET管f2的源极与第三FET管f3的源极连接，第三FET管f3的漏极与第四FET管f4的漏极连接； 第五FET管f5的栅极与第七FET管f7的栅极连接，第五FET管f5的漏极与第七FET管f7的漏极连接，第五FET管f5的源极与第八FET管f8的源极连接，第六FET管f6的栅极与第八FET管f8的栅极连接，第六FET管f6的源极与第七FET管f7的源极连接，第七FET管f7的漏极与第八FET管f8的漏极连接； 所述本振第一功放包括电容C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12，电阻R5、R6、R7，电感L1、L2、L3、L4，微带线W5、W6；其中， 电容C7一端接地，另外一端接电阻R7，所述电阻R7的另一端接功放管M1的栅极； 电容C5一端接地，另外一端接电阻R5，所述电阻R5的另一端接电容C6，所述电容C6的另一端接地，电感L1一端接电容C6，另一端接功放管M1的漏极； 电容C8一端接功放管M1栅极，一端接电阻R6，所述电阻R6的另一端接功放管M1漏极； 电容C9一端接功放管M1的栅极，另一端接电感L3，所述电感L3另一端接地，电感L2一端接电容C9，另一端接电容C10，所述电容C10的另一端接地，微带线W5一端接本振正交耦合器，另一端接电感L2； 电容C11一端接功放管M1的漏极，另一端接电感L4，所述电感L4的另一端接电容C12，所述电容C12的另一端接地，微带线W6一端接电容C12，另一端接本振第一巴伦。

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