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龙图腾网获悉深圳市森国科科技股份有限公司申请的专利半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115481593B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211213697.1，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质是由刘旭;杨承晋;兰华兵;刘涛设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质，本发明涉及半导体技术领域。其中，半导体面积的计算方法包括：根据参考数据集、目标半导体所需的目标电压得到目标半导体的目标电流，其中，预设参考集为根据预设的参考半导体得到的数据集，参考半导体为电压等级、制造工艺与所述目标半导体相同的半导体。根据该目标电流和预设的参考面积计算出目标半导体的电流密度，再根据目标半导体的电流密度、预设的额定电流计算得到目标半导体的目标有源区面积。最后，根据目标有源区面积确定目标半导体所需的目标面积。本实施例的半导体面积的计算方法通过采用预设参考集以计算目标半导体的面积，以此提高了半导体面积的设计精确度。

本发明授权半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.半导体面积的计算方法，其特征在于，包括： 根据预设的目标电压和预设参考集得到目标半导体的目标电流；其中，所述预设参考集为根据预设的参考半导体得到的数据集，所述参考半导体为电压等级、制造工艺与所述目标半导体相同的半导体； 获取预设的参考有源区面积，包括：获取所述参考半导体有源区的参考长度值、参考宽度值、参考圆角半径，根据所述参考长度值、所述参考宽度值、所述参考圆角半径计算得到所述参考有源区面积； 根据所述目标电流、所述参考有源区面积计算得到所述目标半导体的电流密度； 根据所述电流密度和预设的额定电流计算得到所述目标半导体的目标有源区面积； 根据所述目标有源区面积计算得到目标面积； 所述根据所述目标有源区面积计算得到目标面积，包括：根据预设的目标宽长比、所述目标有源区面积计算得到有源区数据，根据所述有源区数据、预设的终端区宽度值计算得到目标边长数据，根据所述目标边长数据计算得到所述目标面积。

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